Транзистор PMV65XP
PMV65XP - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-236AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.92 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.076 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMV65XP можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFP4403 |
SMD |
P |
2.8 |
20 |
12 |
0.9 |
9 |
0.026 |
17 |
30 |
350 |
150 |
SOP-8P |
| STP4403 |
SMD |
P |
2.8 |
20 |
12 |
0.9 |
10 |
0.027 |
30 |
45 |
520 |
150 |
SOP-8 |