Транзистор PMV65XPEA
PMV65XPEA - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-236AB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.48 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.25 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.078 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMV65XPEA можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMV65XPE |
SMD |
P |
0.48 |
20 |
12 |
1.25 |
2.8 |
0.078 |
5 |
19 |
80 |
150 |
TO-236AB |