Транзистор PMXB56EN
PMXB56EN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN1010D-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.055 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 3.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMXB56EN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMV37EN2 |
SMD |
N |
0.51 |
30 |
20 |
2 |
4.5 |
0.036 |
3.6 |
12 |
50 |
150 |
TO-236AB |
| PMV45EN2 |
SMD |
N |
0.51 |
30 |
20 |
2 |
4.1 |
0.042 |
3.6 |
12 |
50 |
150 |
TO-236AB |