Транзистор PMXB65ENE
PMXB65ENE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN1010D-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.067 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 40 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMXB65ENE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM6802 |
SMD |
N |
1 |
30 |
20 |
2.5 |
4 |
0.039 |
3 |
11 |
37 |
150 |
SOT-26 |
| RQ5E035BN |
SMD |
N |
1 |
30 |
20 |
2.5 |
3.5 |
0.037 |
6 |
7.5 |
40 |
150 |
TSMT3 |