Транзистор PMZB200UNE
PMZB200UNE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN1006B-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.95 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.25 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 1.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 11 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMZB200UNE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMZ200UNE |
SMD |
N |
0.35 |
30 |
8 |
0.95 |
1.4 |
0.25 |
1.6 |
10 |
11 |
150 |
DFN1006-3 |