Транзистор PMZB370UNE
PMZB370UNE - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN1006B-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.36 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.05 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.9 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.49 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 0.77 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 9 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMZB370UNE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMZ370UNE |
SMD |
N |
0.36 |
30 |
8 |
1.05 |
0.9 |
0.49 |
0.77 |
9 |
9 |
150 |
DFN1006-3 |