Транзистор PMZB670UPE

PMZB670UPE - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DFN1006B-3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.36 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.68 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 0.76 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 21 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PMZB670UPE можно заменить на:

Нет элементов для замены