Транзистор PMZB950UPE
PMZB950UPE - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN1006B-3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.36 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.95 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 1.19 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 14 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMZB950UPE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMZ950UPE |
SMD |
P |
0.36 |
20 |
8 |
0.95 |
0.5 |
1.4 |
1.19 |
5 |
14 |
150 |
DFN1006-3 |