Транзистор PNMDP30V60
PNMDP30V60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0185 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 22 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 150 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PNMDP30V60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STN4186D |
SMD и PTH |
N |
50 |
40 |
20 |
3 |
70 |
0.015 |
18 |
13 |
130 |
150 |
TO-251,TO-252 |