Справочник электронных компонентов

Транзистор PNMDP600V4

PNMDP600V4 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 28.7 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 51 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор PNMDP600V4 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB7S65	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOB7S65L	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOW7S65	PTH	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-262
PNMIP600V4	PTH	N	104	600	30	4	4	2.2	-	28.7	51	-	TO-251
PNMTO600V4	PTH	N	104	600	30	4	4	2.2	-	28.7	51	-	TO-220
PNMTOF600V4	PTH	N	104	600	30	4	4	2.2	-	28.7	51	-	TO-220F