Транзистор PNMT50V02E

PNMT50V02E - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.35 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.6 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.22 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 2.4 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 15 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PNMT50V02E можно заменить на:

Нет элементов для замены