Транзистор PNMT60V02E
PNMT60V02E - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.18 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 7.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор PNMT60V02E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PNMT60V02 |
SMD |
N |
0.15 |
60 |
20 |
1.5 |
0.18 |
7.5 |
- |
- |
20 |
- |
SOT-23 |