Справочник электронных компонентов

Транзистор PPM8P30V10

PPM8P30V10 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор PPM8P30V10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFP7617WS SMD P 28 30 20 3 16 0.01 25 15 400 150 DFN3X3-8L
AO4407A SMD P 3.1 30 25 3 12 0.013 - 9.4 370 150 SO-8
AO4427 SMD P 3 30 25 3 12.5 0.014 41 10.3 480 150 SO-8
AON7401 SMD P 29 30 25 3 35 0.014 - 9.4 370 150 DFN3X3
AP3P010AMT SMD P 5 30 20 3 18.5 0.01 - 9 500 150 PMPAK5X6
AP3P010YT SMD P 3.12 30 20 3 14.5 0.01 - 9 500 150 PMPAK3X3
AP4453AGYT-HF SMD P 3.13 30 25 3 12.8 0.013 - 10 290 150 PMPAK3X3
AP4453GYT-HF SMD P 3.13 30 20 3 12.8 0.013 - 9.5 305 150 PMPAK3X3
MDV3604URH SMD P 3.4 30 25 3 12.6 0.01 - 12.9 338 150 PDFN33
MMP4425 SMD P 3.1 38 25 3 14 0.015 62.04 7.32 332.09 150 SO-8
P1403EV8 SMD P 3 30 20 3 12 0.014 - 16 410 150 SOP-8
PV507BA SMD P 4.1 30 25 3 13 0.014 - 16 337 150 SOP-8
STP4407 SMD P 3.1 30 23 3 12 0.009 30 24 400 150 SOP-8