Транзистор PPMS8N20V3

PPMS8N20V3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: DFN3X2-8L

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.45 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.11 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 4.2 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 28 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PPMS8N20V3 можно заменить на:

Нет элементов для замены