Транзистор PPMT20V4E
PPMT20V4E - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.047 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 17 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PPMT20V4E можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3415A |
SMD |
P |
1.4 |
20 |
10 |
1 |
4 |
0.047 |
12 |
10 |
165 |
150 |
SOT-23 |
| STS6P3LLH6 |
SMD |
P |
2.7 |
30 |
20 |
1 |
6 |
0.03 |
12 |
15 |
178 |
150 |
SO-8 |