Транзистор PPMT30V3
PPMT30V3 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.04 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.095 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 14 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 74 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PPMT30V3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMP4383 |
SMD |
P |
1.2 |
30 |
20 |
3 |
3.9 |
0.085 |
4.59 |
2.55 |
34.8 |
150 |
SOP-8 |
| MMP9435 |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
5.3 |
0.06 |
9 |
2.8 |
66 |
150 |
SOP-8 |