Транзистор PPMT30V4
PPMT30V4 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.06 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор PPMT30V4 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM6401 |
SMD |
P |
2.1 |
30 |
12 |
1.3 |
5.1 |
0.054 |
13.6 |
12.3 |
74 |
150 |
SOT-26 |
| AO4403 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
12 |
1.3 |
6 |
0.048 |
- |
3.5 |
80 |
150 |
SO-8 |
| AO6401 |
SMD |
P |
2 |
30 |
12 |
1.3 |
5 |
0.047 |
- |
3.5 |
80 |
150 |
TSOP-6 |
| AO6401A |
SMD |
P |
2 |
30 |
12 |
1.3 |
5 |
0.047 |
- |
3.5 |
80 |
150 |
TSOP-6 |