Транзистор PPMT50V02
PPMT50V02 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 15 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PPMT50V02 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| ZVP4105ASTOA |
PTH |
P |
0.625 |
50 |
20 |
2 |
0.175 |
10 |
- |
10 |
15 |
150 |
TO-92 |
| ZVP4105ASTOB |
PTH |
P |
0.625 |
50 |
20 |
2 |
0.175 |
10 |
- |
10 |
15 |
150 |
TO-92 |
| ZVP4105ASTZ |
PTH |
P |
0.625 |
50 |
20 |
2 |
0.175 |
10 |
- |
10 |
15 |
150 |
TO-92 |