Транзистор PSMN011-80YS
PSMN011-80YS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LFPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 117 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 67 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 45 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PSMN011-80YS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDP085N10A |
PTH |
N |
188 |
100 |
20 |
4 |
96 |
0.0085 |
40 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| PSMN012-80PS |
PTH |
N |
148 |
80 |
20 |
4 |
74 |
0.011 |
43 |
- |
- |
175 |
TO-220AB |
| PSMN8R7-80BS |
SMD |
N |
170 |
80 |
20 |
4 |
90 |
0.0087 |
44 |
26 |
296 |
175 |
D2PAK |