Транзистор PSMN013-100YSE

PSMN013-100YSE - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: LFPAK

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 238 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 82 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 75 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 265 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PSMN013-100YSE можно заменить на:

Нет элементов для замены