Справочник электронных компонентов

Транзистор PSMN016-100YS

PSMN016-100YS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: LFPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 117 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 51 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0163 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 54 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PSMN016-100YS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUK7Y15-100E	SMD	N	195	100	20	4	68	0.015	54.5	21	283	175	LFPAK56
FDB110N15A	SMD	N	234	150	20	4	65	0.011	47	-	-	175	TO-263
FDB3652	SMD	N	150	100	20	4	61	0.016	53	-	-	175	TO-263
FDP085N10A	PTH	N	188	100	20	4	96	0.0085	40	-	-	175	TO-220
FDP3652	PTH	N	150	100	20	4	61	0.016	53	-	-	175	TO-220
IRFR4510PBF	SMD	N	143	100	20	4	56	0.0139	54	42	213	175	TO-252
IRFU4510PBF	PTH	N	143	100	20	4	56	0.0139	54	42	213	175	TO-251
KDB3652	SMD	N	150	100	20	4	61	0.016	41	85	390	175	TO-263
PSMN016-100PS	PTH	N	148	100	20	4	96	0.016	49	-	-	175	TO-220AB
TK55S10N1	SMD	N	157	100	20	4	55	0.0065	49	11	1520	175	DPAK