Справочник электронных компонентов

Транзистор PSMN030-150P

PSMN030-150P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220AB

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 55.5 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 98 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PSMN030-150P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDB075N15A	SMD	N	333	150	20	4	92	0.0075	77	-	-	175	TO-263
FDB082N15A	SMD	N	294	150	20	4	75	0.0082	64.5	-	-	175	TO-263
FDB2532	SMD	N	310	150	20	4	79	0.016	82	-	-	175	TO-263
FDP083N15A	PTH	N	294	150	20	4	117	0.0083	84	-	-	175	TO-220
FDP2532	PTH	N	310	150	20	4	79	0.016	82	-	-	175	TO-220
KDB2532	SMD	N	310	150	20	4	79	0.016	82	30	615	175	TO-263
PSMN030-150B	SMD	N	250	150	20	4	55.5	0.03	98	-	-	175	D2PAK
SUM65N20-30	SMD	N	375	200	20	4	65	0.03	90	220	480	175	TO-263
SUM85N15-19	SMD	N	375	150	20	4	85	0.019	76	170	530	175	TO-263
SUP85N15-21	PTH	N	300	150	20	4	85	0.021	76	170	530	175	TO-220AB