Транзистор PSMN057-200B
PSMN057-200B - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 39 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.057 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 96 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PSMN057-200B можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN057-200P |
PTH |
N |
250 |
200 |
20 |
4 |
39 |
0.057 |
96 |
- |
- |
175 |
TO-220AB |
| SUM65N20-30 |
SMD |
N |
375 |
200 |
20 |
4 |
65 |
0.03 |
90 |
220 |
480 |
175 |
TO-263 |
| SUP57N20-33 |
PTH |
N |
300 |
200 |
20 |
4 |
57 |
0.033 |
90 |
220 |
480 |
175 |
TO-220AB |