Справочник электронных компонентов

Транзистор PSMN063-150D

PSMN063-150D - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: DPAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 29 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.063 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 55 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PSMN063-150D можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDB2552	SMD	N	150	150	20	4	37	0.036	39	-	-	175	TO-263
FDP2552	PTH	N	150	150	20	4	37	0.036	51	-	-	175	TO-220
FDP42AN15A0	PTH	N	150	150	20	4	35	0.042	30	-	-	175	TO-220
KDB2552	SMD	N	150	150	20	4	37	0.036	39	29	285	175	TO-263
PHB45NQ15T	SMD	N	230	150	20	4	45.1	0.042	32	-	-	175	D2PAK
PHP30NQ15T	PTH	N	150	150	20	4	29	0.063	55	-	-	175	TO-220AB
SUM40N15-38	SMD	N	166	150	20	4	40	0.038	38	130	290	175	TO-263