Транзистор PSMN4R4-80BS
PSMN4R4-80BS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 306 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 112 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 38.1 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 700 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PSMN4R4-80BS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN3R3-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0035 |
104 |
29 |
701 |
175 |
D2PAK |
| PSMN4R3-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0043 |
104 |
28.6 |
701 |
175 |
D2PAK |