Справочник электронных компонентов

Транзистор PSMN7R0-100ES

PSMN7R0-100ES - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: I2PAK

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 269 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0068 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 125 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PSMN7R0-100ES можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB410L	SMD	N	333	100	25	4	150	0.0062	107	22	594	175	TO-263
AOT410L	PTH	N	333	100	25	4	150	0.0065	107	22	594	175	TO-220
AOW410	PTH	N	333	100	25	4	150	0.0065	107	22	594	175	TO-262
AUIRFP4310Z	PTH	N	280	100	20	4	134	0.006	120	-	-	175	TO-247AC
FDB035N10A	SMD	N	333	100	20	4	125	0.0035	89	-	-	175	TO-263
FDBL0630N150	SMD	N	500	150	20	4	169	0.005	70	-	-	175	H-PSOF8L
FDH055N15A	PTH	N	429	150	20	4	118	0.0059	92	-	-	175	TO-247,TO-3P,TO-3PF
FDP036N10A	PTH	N	333	100	20	4	125	0.0036	89	-	-	175	TO-220
PSMN7R0-100BS	SMD	N	269	100	20	4	100	0.0068	125	45.6	438	175	D2PAK
STP180N10F3	PTH	N	315	100	20	4	120	0.0051	114.6	-	-	175	TO-220
TK160F10N1	SMD	N	375	100	20	4	160	0.0024	121	22	3960	175	TO-220SM