Транзистор PSMN8R5-100ES
PSMN8R5-100ES - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: I2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 263 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0085 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 111 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 380 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PSMN8R5-100ES можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PSMN8R5-100PS |
PTH |
N |
263 |
100 |
20 |
4 |
100 |
0.0085 |
111 |
35 |
380 |
175 |
TO-220AB |
| PSMN8R5-108ES |
PTH |
N |
263 |
108 |
20 |
4 |
100 |
0.0085 |
111 |
35 |
380 |
175 |
I2PAK |