Справочник электронных компонентов

Транзистор PSMN9R5-100XS

PSMN9R5-100XS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 52 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 44 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0096 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 81.5 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор PSMN9R5-100XS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
FDB075N15A	SMD	N	333	150	20	4	92	0.0075	77	-	-	175	TO-263
FDB082N15A	SMD	N	294	150	20	4	75	0.0082	64.5	-	-	175	TO-263
FDBL0630N150	SMD	N	500	150	20	4	169	0.005	70	-	-	175	H-PSOF8L
FDI045N10A	PTH	N	263	100	20	4	120	0.0045	74	-	-	175	TO-262
FDP045N10A	PTH	N	263	100	20	4	120	0.0045	74	-	-	175	TO-220
FDP085N10A	PTH	N	188	100	20	4	96	0.0085	40	-	-	175	TO-220
IRF100B202	PTH	N	221	100	20	4	97	0.0086	77	56	319	175	TO-220AB
PSMN9R5-100BS	SMD	N	211	100	20	4	89	0.0096	67	25.2	302	175	D2PAK
PSMN9R5-100PS	PTH	N	211	100	20	4	89	0.0096	82	-	-	175	TO-220AB
STP130N10F3	PTH	N	250	100	20	4	120	0.0096	57	38	373	175	TO-220
TK55S10N1	SMD	N	157	100	20	4	55	0.0065	49	11	1520	175	DPAK