Транзистор PV501BA

PV501BA - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOP-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.8 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0075 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 426 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор PV501BA можно заменить на:

Нет элементов для замены