Транзистор QM0008D
QM0008D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.31 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 9.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 29 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор QM0008D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM0008U |
PTH |
N |
20.8 |
100 |
20 |
2.5 |
5.4 |
0.31 |
9.6 |
30.6 |
29 |
150 |
TO-251 |