Транзистор QM0016D
QM0016D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 52.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 22 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.047 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 137 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор QM0016D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM0016P |
PTH |
N |
87 |
100 |
20 |
2.5 |
27 |
0.047 |
60 |
46 |
137 |
150 |
TO-220 |
| SM1A15NSU |
SMD |
N |
75 |
100 |
20 |
2.5 |
30 |
0.044 |
40 |
6 |
120 |
175 |
TO-252 |