Транзистор QM01N65D
QM01N65D - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 41.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 12 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 6.03 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18.4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 17.8 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор QM01N65D можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QM01N65U |
PTH |
N |
41.6 |
650 |
30 |
5 |
1.2 |
12 |
6.03 |
18.4 |
17.8 |
150 |
TO-251 |