Транзистор QM2415SN8
QM2415SN8 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN3X2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.13 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.6 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 48 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор QM2415SN8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3457P |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
1 |
5 |
0.054 |
4.9 |
11.7 |
38 |
150 |
TSOP-6 |
| QM2415SM8 |
SMD |
P |
1.1 |
20 |
8 |
1 |
2.5 |
0.13 |
5.6 |
25.6 |
48 |
150 |
PRPAK3X2 |