Транзистор QS5U12
QS5U12 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT5
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.9 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 2.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор QS5U12 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| QS5U13 |
SMD |
N |
0.9 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.1 |
2.8 |
10 |
50 |
150 |
TSMT5 |
| QS5U16 |
SMD |
N |
0.9 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.1 |
2.8 |
10 |
50 |
150 |
TSMT5 |
| QS5U17 |
SMD |
N |
0.9 |
30 |
12 |
1.5 |
2 |
0.1 |
2.8 |
10 |
50 |
150 |
TSMT5 |