Транзистор R5011ANJ
R5011ANJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.38 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 30 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 28 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор R5011ANJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STB12NM50-1 |
PTH |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
12 |
0.35 |
28 |
10 |
250 |
150 |
I2PAK |
| STB12NM50T4 |
SMD |
N |
160 |
500 |
30 |
5 |
12 |
0.35 |
28 |
10 |
250 |
150 |
D2PAK |
| STW14NM50 |
PTH |
N |
175 |
500 |
30 |
5 |
14 |
0.35 |
28 |
10 |
180 |
150 |
TO-247 |