Справочник электронных компонентов

Транзистор R5016FNJ

R5016FNJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор R5016FNJ можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
K2698 PTH N 208 500 30 5 18 0.27 42 40 300 150 TO-247
K2698B PTH N 208 500 30 5 18 0.27 42 40 300 150 TO-3PB
R5016FNX PTH N 50 500 30 5 16 0.22 45 60 1000 150 TO-220FM
STB20NM50 SMD N 192 500 30 5 20 0.25 40 16 285 150 D2PAK
STB20NM50-1 PTH N 192 500 30 5 20 0.25 40 16 285 150 I2PAK
STB20NM50FDT4 SMD N 192 500 30 5 20 0.25 38 20 290 150 D2PAK
STB20NM50T4 SMD N 192 500 30 5 20 0.25 40 16 285 150 D2PAK
STB20NM60-1 PTH N 192 600 30 5 20 0.29 39 20 350 150 I2PAK
STB20NM60T4 SMD N 192 600 30 5 20 0.29 39 20 350 150 D2PAK
WFF18N50 PTH N 69 500 30 5 18 0.27 42 40 300 150 TO-220F
WFP18N50 PTH N 208 500 30 5 18 0.27 42 40 300 150 TO-220
WFW18N50 PTH N 280 500 30 5 18 0.27 42 40 300 150 TO-3P
WFW18N50N PTH N 280 500 30 5 18 0.27 42 40 300 150 TO-3PN
WFW18N50W PTH N 280 500 30 5 18 0.27 42 40 300 150 TO-247