Транзистор R6011ENJ
R6011ENJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-83
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.39 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 570 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор R6011ENJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| R6011ENX |
PTH |
N |
40 |
600 |
20 |
4 |
11 |
0.39 |
32 |
40 |
570 |
150 |
TO-220FM |