Транзистор R6015ANJ
R6015ANJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.23 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 50 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор R6015ANJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMP60R195PCTH |
PTH |
N |
154 |
600 |
30 |
4 |
20 |
0.195 |
44 |
50 |
999 |
150 |
TO-220 |
| R6015ANZ |
PTH |
N |
110 |
600 |
30 |
- |
15 |
0.23 |
50 |
50 |
1120 |
150 |
TO-3PF |