Транзистор R6015FNJ
R6015FNJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.35 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор R6015FNJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| R6015FNX |
PTH |
N |
50 |
600 |
30 |
5 |
15 |
0.27 |
42 |
45 |
1110 |
150 |
TO-220FM |
| STB20NM60-1 |
PTH |
N |
192 |
600 |
30 |
5 |
20 |
0.29 |
39 |
20 |
350 |
150 |
I2PAK |
| STB20NM60T4 |
SMD |
N |
192 |
600 |
30 |
5 |
20 |
0.29 |
39 |
20 |
350 |
150 |
D2PAK |