Транзистор R6020ENZ
R6020ENZ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3PF
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 120 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.196 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 60 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 53 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1200 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор R6020ENZ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MMP60R195PCTH |
PTH |
N |
154 |
600 |
30 |
4 |
20 |
0.195 |
44 |
50 |
999 |
150 |
TO-220 |
| R6020ENZ1 |
PTH |
N |
120 |
600 |
20 |
4 |
20 |
0.196 |
60 |
53 |
1200 |
150 |
TO-247 |