Транзистор RCD080N25

RCD080N25 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: CPT3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.225 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RCD080N25 можно заменить на:

Нет элементов для замены