Транзистор RCJ050N25

RCJ050N25 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-83

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 30 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.36 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 8.5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 30 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RCJ050N25 можно заменить на:

Нет элементов для замены