Транзистор RDD023N50

RDD023N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-63

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5.4 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 11 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 26 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RDD023N50 можно заменить на:

Нет элементов для замены