Транзистор RDN150N20
RDN150N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220FN
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 32 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 37 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 443 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RDN150N20 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KF19N20D |
SMD |
N |
83.3 |
200 |
30 |
4 |
15 |
0.155 |
21 |
22 |
165 |
150 |
DPAK |
| KF19N20F |
PTH |
N |
43.1 |
200 |
30 |
4 |
19 |
0.155 |
21 |
22 |
165 |
150 |
TO-220IS |