Транзистор RDR005N25

RDR005N25 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSMT3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 8.8 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 3.5 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 10 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RDR005N25 можно заменить на:

Нет элементов для замены