Транзистор RE1C001UN
RE1C001UN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: EMT3F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 3.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3.3 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RE1C001UN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RU1C001UN |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
8 |
1 |
0.1 |
3.5 |
- |
4 |
3.3 |
150 |
UMT3F |
| RUM001L02 |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
8 |
1 |
0.1 |
3.5 |
- |
4 |
3.3 |
150 |
VMT3 |