Транзистор RE1L002SN
RE1L002SN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: EMT3F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4.5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RE1L002SN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RK7002BM |
SMD |
N |
0.2 |
60 |
20 |
2.3 |
0.25 |
2.4 |
- |
5 |
4.5 |
150 |
SOT-23 |
| RK7002BT116 |
SMD |
N |
0.2 |
60 |
20 |
2.3 |
0.25 |
2.4 |
- |
5 |
4.5 |
150 |
SOT-23 |