Транзистор RF1S640
RF1S640 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.18 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 43 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RF1S640 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS640A0H |
SMD |
N |
156 |
200 |
30 |
4 |
18 |
0.18 |
24 |
33 |
180 |
150 |
TO-263 |
| CS640A8H |
PTH |
N |
156 |
200 |
30 |
4 |
18 |
0.18 |
24 |
33 |
180 |
150 |
TO-220AB |
| STW30N20 |
PTH |
N |
125 |
200 |
20 |
4 |
30 |
0.075 |
38 |
15.7 |
320 |
150 |
TO-247 |
| SUD19N20-90 |
SMD |
N |
136 |
200 |
20 |
4 |
19 |
0.09 |
34 |
50 |
180 |
175 |
TO-252 |
| SUM27N20-78 |
SMD |
N |
150 |
200 |
20 |
4 |
27 |
0.078 |
40 |
35 |
215 |
175 |
TO-263 |