Транзистор RF4E080GN
RF4E080GN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN2020-8S
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0176 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.8 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3.6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 89 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RF4E080GN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RQ3E080GN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
8 |
0.0167 |
5.8 |
3.6 |
89 |
150 |
HSMT8 |