Справочник электронных компонентов

Транзистор RFG60P05E

RFG60P05E - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 215 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.03 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 450 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RFG60P05E можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXTH90P10P	PTH	P	462	100	20	4	90	0.025	120	144	-	175	TO-247
IXTK170P10P	PTH	P	890	100	20	4	170	0.012	240	176	-	150	TO-264
IXTN170P10P	Модуль	P	890	100	20	4	170	0.012	240	176	-	150	ISOTOP
IXTR170P10P	PTH	P	312	100	20	4	108	0.013	240	176	-	150	ISOPLUS247
IXTT90P10P	SMD	P	462	100	20	4	90	0.025	120	144	-	150	TO-268
IXTX170P10P	PTH	P	890	100	20	4	170	0.012	240	176	-	150	PLUS247
SPP80P06P	PTH	P	340	60	20	4	80	0.023	115	18	1252	175	TO-220-3
SPP80P06PG	PTH	P	340	60	20	4	80	0.023	115	18	1252	175	TO-220-3
SUM110P08-11	SMD	P	375	80	20	4	110	0.0111	185	410	790	175	TO-263